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스트레인 게이지
스트레인 게이지는 물체의 스트레인을 측정하는 데 사용되는 devices입니다. 1938년 Edward E. Simmons와 Arthur C. Ruge가 발명한 가장 일반적인 유형의 스트레인 게이지는 금속 호일 패턴을 지지하는 절연성 유연한 지지체로 구성됩니다. 스트레인 게이지는 시아노아크릴레이트와 같은 적절한 접착제로 물체에 부착됩니다. 물체가 변형되면 포일이 변형되어 전기 저항이 변경됩니다. 일반적으로 휘트스톤 브리지를 사용하여 측정되는 이 저항 변화는 게이지 계수로 알려진 양에 의한 변형과 관련이 있습니다.
스트레인 게이지는 재료의 특성인 전도체의 전기 전도도뿐만 아니라 전도체의 기하학적 구조에 따라 전기 전도도와 그 의존성을 활용합니다. 전기 전도체가 끊어지거나 영구적으로 변형되지 않도록 탄성 한계 내에서 늘어나면 전기 전도체가 끝에서 끝까지 증가하는 변화가 점점 더 좁아지고 길어집니다. 반대로, 도체가 구부러지지 않도록 압축되면 전기 저항이 종단 간에 감소하는 변화로 넓어지고 짧아집니다. 측정된 스트레인 게이지의 전기 저항으로부터 가해진 응력의 양을 유추할 수 있습니다. 일반적인 스트레인 게이지는 평행선 방향의 작은 양의 응력이 도체의 유효 길이에 걸쳐 배수적으로 더 큰 변형을 초래하도록 평행선의 지그재그 패턴으로 길고 얇은 전도성 스트립을 배열합니다. -따라서 저항의 곱셈적으로 더 큰 변화 - 단일 직선 전도성 와이어. 스트레인 게이지는 국부적 변형만 측정하며 시편이 받는 응력 분석과 같은 "유한 요소"를 허용할 만큼 충분히 작게 제조할 수 있습니다. 이것은 재료의 피로 연구에서 효과적으로 사용할 수 있습니다.
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